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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDTA114 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | PNP配電阻型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114 |
1998 May 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
1
10
10
2
MBK784
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
200
400
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
10
1
10
2
MBK783
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
VCEsat
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114EEF | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114EK | PNP resistor-equipped transistor |
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| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTA114E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
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