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參數資料
| 型號： | PDTA114 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | PNP配電阻型晶體管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | PDTA114 |
1998 May 15
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114EEF | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114EK | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA114E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EE/DG,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:0 |
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