- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382388 > PDTA114EK (NXP SEMICONDUCTORS) PNP resistor-equipped transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PDTA114EK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114EK |
1998 May 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
5
100
100
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
7
TYP.
10
MAX.
100
1
50
100
150
13
3
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
nA
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
R1
C
c
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input resistor
collector capacitance
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114YEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTA114YK | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA114EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EM T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EM,315 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EMB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。