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參數(shù)資料
| 型號： | PDTA114EK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114EK |
1998 May 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
1
10
10
2
MBK784
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
200
400
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
10
1
10
2
MBK783
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
VCEsat
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PDTA114EM,315 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EMB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
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