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參數資料
| 型號： | PDTA143XEF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 490 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | PDTA143XEF |
2002 Jan 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor;
R1 = 4.7 k
, R2 = open
PDTA143TEF
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT490 in the SC18 Data Handbook”
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT490 in the SC18 Data Handbook”
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
i
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
65
65
+10
40
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
in free air; note 1
500
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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