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參數資料
| 型號： | PDTA143XEF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 490 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | PDTA143XEF |
2002 Jan 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor;
R1 = 4.7 k
, R2 = open
PDTA143TEF
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
3.3
TYP.
4.7
MAX.
100
1
50
100
100
6.1
3
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
=
50 V; I
E
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 mA
I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
nA
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
R1
C
c
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input resistor
collector capacitance
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
handbook, halfpage
3
10
2
10
10
1
MHC026
1
10
hFE
IC (mA)
10
2
(1)
(2)
(3)
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
10
10
1
10
2
3
MHC027
1
10
VCEsat
(mV)
IC (mA)
10
2
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
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