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參數資料
| 型號： | PDTC123 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | PDTC123 |
1999 May 27
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JEF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
10
1
MDA928
1
(3)
10
IC (mA)
hFE
10
2
(1)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
10
10
1
10
2
3
MDA927
10
2
1
10
(3)
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(2)
(1)
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
1
10
1
MDA930
10
2
10
1
1
IC (mA)
Vi(off)
(V)
10
(1)
(2)
(3)
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MDA929
10
1
1
10
IC (mA)
Vi(on)
(V)
10
2
(1)
(2)
(3)
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