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參數資料
型號: PH2625L
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述: 100 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝: PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數: 6/13頁
文件大小: 100K
代理商: PH2625L
9397 750 14324
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 02 — 24 February 2005
6 of 13
Philips Semiconductors
PH2625L
N-channel TrenchMOS logic level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aaa553
2.4
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
1.7
1.8
10
1.9
2.2
4.5
2.5
2.1
2.3
V
GS
(V) =
003aaa555
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
10
2.1
2.3
4.5
2.2
V
GS
(V) = 2
003aaa554
0
10
20
30
40
0
1
2
3
V
GS
(V)
I
D
(A)
25
°
C
T
j
= 150
°
C
03af18
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
------------------------------
=
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PDF描述
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