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參數資料
型號: PH3134-11S
英文描述: Radar Pulsed Power Transistor, 11 W, lms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
中文描述: 雷達脈沖功率晶體管,11糯中,LMS脈沖,10%的稅3月1號至3月4日吉赫
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 157K
代理商: PH3134-11S
相關PDF資料
PDF描述
PH3134-2OL Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-30S Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-55L Radar Pulsed Power Transistor, SW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-65M Radar Pulsed Power Transistor, 65W, 1OOms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-75S T&B METHOD LUG
相關代理商/技術參數
參數描述
PH3134-20L 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-25M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,25W,36V,3.10-3.40GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH3134-2OL 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-30S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-55L 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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