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參數資料
| 型號： | PH3134-55L |
| 英文描述： | Radar Pulsed Power Transistor, SW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
| 中文描述： | 雷達脈沖功率晶體管，西南，300ms的脈沖，10％的稅3月1號至3月4日吉赫 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | PH3134-55L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3134-65M | Radar Pulsed Power Transistor, 65W, 1OOms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
| PH3134-75S | T&B METHOD LUG |
| PH3230S | N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PH3230 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PH3830L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3134-65M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3134-75S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-9L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3135-20M | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3135-25S | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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