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參數資料
| 型號： | PH3134-25M |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 3A I(C) | FO-91VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 63V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|佛91VAR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | PH3134-25M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3134-9L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C) |
| PH3135-65M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: SSOP; No of Pins: 28; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PH3135-80M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: PDIP; No of Pins: 24; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PH313 | SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR |
| PH3135-20M | Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3134-2OL | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
| PH3134-30S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-55L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-65M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3134-75S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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