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參數資料
| 型號： | PH313 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR |
| 中文描述： | 硅外延平面PIN光電二極管探測器 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | PH313 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3135-20M | Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz |
| PH3135-25S | Radar Pulsed Power Transistor,25W,2ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5GHz |
| PH3135-30M | Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, IOOms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz |
| PH3135-5M | Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz |
| PH3135-5S | Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5 GHz |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3134-10M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,10W,3.1-3.4GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3134-11S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-20L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-25M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,25W,36V,3.10-3.40GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3134-2OL | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
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