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參數資料
| 型號： | PHB152NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/13頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | PHB152NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/B152NQ03LTA
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 05 March 2004
4 of 13
9397 750 12829
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT78
SOT404
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
1
Unit
K/W
vertical in still air
mounted on a printed-circuit
board; minimum footprint
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
003aaa518
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
0.2
0.1
0.05
δ
= 0.5
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB38N02LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB152NQ03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LTA /T3 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB152NQ03LTA,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB153NQ08LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB160N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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