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參數資料
| 型號： | PHB160N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | PHB160N03T |
PHB160N03T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 13 September 2000
Product specification
c
M3D166
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHB160N03T in SOT404 (D
2-
PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Very low on-state resistance.
3.
Applications
I
DC to DC converters
I
Switched-mode power supplies
I
General purpose switch.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT404 (D
2
-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
connected to drain (d)
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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