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參數(shù)資料
| 型號： | PHB160N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | PHB160N03T |
Philips Semiconductors
PHB160N03T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 13 September 2000
8 of 13
9397 750 07325
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 75 A; V
DS
= 15 V
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
ID
(A)
VSD (V)
03ad30
Tj = 175 oC
25 oC
03ad29
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
QG (nC)
120
VGS
(V)
VDS = 15V
ID = 75 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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