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參數資料
| 型號： | PHB152NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/13頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | PHB152NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/B152NQ03LTA
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 05 March 2004
7 of 13
9397 750 12829
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
003aaa522
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PHB38N02LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB152NQ03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PHB152NQ03LTA,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB153NQ08LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB160N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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