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參數資料
| 型號： | PHB225NQ04T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 13/13頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PHB225NQ04T |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 12 May 2004
Document order number: 9397 750 13157
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB225NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
5
5.1
6
7
8
9
10
11
12
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB38N02LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB225NQ04T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB23NQ10LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB23NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB24 | 制造商:Power-One 功能描述: |
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