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參數資料
| 型號： | PHB225NQ04T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | PHB225NQ04T |
Philips Semiconductors
PHP/PHB225NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 12 May 2004
7 of 13
9397 750 13157
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
max
typ
min
03aq26
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB38N02LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB225NQ04T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB23NQ10LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB23NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB24 | 制造商:Power-One 功能描述: |
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