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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB95N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | PHB95N03LT |
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Philips Semiconductors
PHP95N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 02 February 2001
11 of 15
9397 750 07814
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 17. SOT226 (I
2
-PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT226
low-profile
3-lead TO-220AB
D
D1
L
1
2
3
L2
L1
mounting
base
b1
e
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; low-profile 3 lead TO-220AB
SOT226
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
UNIT
A1
b1
D1
e
Q
mm
2.54
L1
2.6
2.2
3.30
2.79
15.0
13.5
10.3
9.7
1.5
1.1
9.65
8.65
0.7
0.4
1.3
1.0
0.9
0.7
1.40
1.27
4.5
4.1
A
b
D
c
3.0
L2
max
(1)
E
L
99-05-27
99-09-13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHE95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP96NQ03LT | Turret Lug, for 2.4mm panel thickness |
| PHB96NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD96NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHP9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB95N03LTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 22V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| PHB95NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB95NQ04LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB96NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB96NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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