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參數資料
型號: PHD21N06LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述: 19 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, DPAK-3
文件頁數: 4/11頁
文件大小: 112K
代理商: PHD21N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP21N06LT, PHB21N06LT
PHD21N06LT
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
)
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
)
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.8. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.2
0.4
0.6
Drain-Source Voltage, VDS (V)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain Current, ID (A)
2.8 V
2.6 V
Tj = 25 C
VGS = 10V
3 V
3.2 V
3.4 V
2.4 V
5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
175 C
VDS > ID X RDS(ON)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0
5
10
20
25
30
35
Drain 15
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS = 10V
Tj = 25 C
3.2 V
5 V
3.4 V
3 V
2.8V
2.6 V
2.4 V
Normalised On-state Resistance
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-60
-40
-20
0
Junction temperature, Tj (C)
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.5
1
1.5
Gate-source voltage, VGS (V)
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
175 C
Threshold Voltage, VGS(TO) (V)
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Junction Temperature, Tj (C)
typical
maximum
minimum
August 1999
4
Rev 1.500
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PDF描述
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