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參數資料
| 型號： | PHD22NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 21.1 A, 200 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PHD22NQ20T |
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
10 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20040308
Description
Product data (9397 750 12882)
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD22NQ20T-01 | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD24N03 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD3055E | PowerMOS transistor |
| PHD3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHD3N20E | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD22NQ20T /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD22NQ20T,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD22NQ20T-01 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD23NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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