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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD22NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 21.1 A, 200 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PHD22NQ20T |
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
8 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 15 A; V
DD
= 40 V, 100 V and 160 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ap90
0
5
10
15
20
25
IS
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ap92
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 15 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 40 V
100 V
160 V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| PHD22NQ20T,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| PHD23NQ10T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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