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參數資料
| 型號： | PHD66NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Turret Lug, for 3.2mm panel thickness |
| 中文描述： | 66 A, 25 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | PHD66NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Product data
Rev. 02 — 10 December 2001
3 of 14
9397 750 09119
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 5 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03ag19
1
10
102
103
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
t
p
= 10 μs
DC
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
100 μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHU78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
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| PHB82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| PHD66NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD69N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PH-D7000H | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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