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參數資料
| 型號： | PHD66NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Turret Lug, for 3.2mm panel thickness |
| 中文描述： | 66 A, 25 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商： | PHD66NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Product data
Rev. 02 — 10 December 2001
8 of 14
9397 750 09119
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ag23
0
15
30
45
60
75
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ag25
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 50 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHU78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
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| PHB82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD66NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD66NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD69N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD6N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
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