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參數資料
| 型號： | PHD82NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/14頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | PHD82NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
4 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
-
60
-
75
1.1
-
-
K/W
K/W
K/W
SOT78 package; vertical in still air
SOT428 package;
SOT428 minimum footprint;
mounted on a PCB
SOT404 and SOT428 packages;
SOT404 minimum footprint;
mounted on a PCB
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ai54
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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