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參數資料
| 型號： | PHD82NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | PHD82NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
6 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ai56
0
20
40
60
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
(V)
I
D
(A)
3 V
5 V
T
j
= 25 oC
V
GS
= 2.8 V
10 V
3.2 V
4 V
4.4 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
6 V
03ai58
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25 oC
175 oC
03ai57
0
0.004
0.008
0.012
0.016
0
20
40
60
80
I
D
(A)
R
DSon
(
)
4.4 V
V
GS
= 4 V
T
j
= 25 oC
5V
6 V
10 V
03af18
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP8N20E | PowerMOS transistor |
| PHP95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHE95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP96NQ03LT | Turret Lug, for 2.4mm panel thickness |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD82NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD82NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD82NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
| PHD83N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD87N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
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