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參數資料
| 型號： | PHD96NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | PHD96NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 23 October 2001
11 of 14
9397 750 08963
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 16. SOT428 (D-PAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT428
TO-252
SC-63
98-04-07
99-09-13
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
D1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
E1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
max.
b
D1
max.
E
max.
HE
max.
w
y
max.
A2
b2
b1
max.
c
E1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
max.
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
0.71
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHT-1901 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1902 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1903 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1904 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD96NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD96NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD97NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHD97NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD98N03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:75 A, 25 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
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