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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD96NQ03LT |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/14頁(yè) |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | PHD96NQ03LT |
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Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 23 October 2001
8 of 14
9397 750 08963
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03af15
0
20
40
60
80
I
S
(A)
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03af17
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 50 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
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PDF描述 |
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| PHD97NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD98N03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:75 A, 25 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
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