- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄382393 > PHD96NQ03LT (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel enhancement mode field-effect transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD96NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | PHD96NQ03LT |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior
written consent of the copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or
contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No
liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication
thereof does not convey nor imply any license under patent- or other industrial or
intellectual property rights.
Date of release: 23 October 2001
Document order number: 9397 750 08963
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
2
3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
12
13
Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHT-1901 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1902 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1903 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
| PHT-1904 | LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD96NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD96NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD97NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHD97NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD98N03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:75 A, 25 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。