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參數資料
| 型號： | PHM30NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | PHM30NQ10T |
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 11 September 2003
Product data
M3D879
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
Shaded area indicates terminal 1 index area.
I
SOT96 (SO-8) footprint compatible
I
Surface mounted package
I
Low thermal resistance
I
Low profile.
I
DC-to-DC primary side
I
Portable equipment applications.
I
V
DS
≤
100 V
I
P
tot
≤
62.5 W
I
I
D
≤
37.6 A
I
R
DSon
≤
20 m
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
mb
Pinning - SOT685 (QLPAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
source (s)
gate (g)
drain (d)
mounting base,
connected to drain (d)
Symbol
[1]
SOT685-1 (QLPAK)
1
4
8
5
MBL585
Bottom view
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| PHM5601_1 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:560A 150V |
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