- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHP3055E (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel TrenchMOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHP3055E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 10.3 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | PHP3055E |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP3055E PHD3055E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 10A
Tj = 25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP32N06L | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP32N06LT | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP36N06E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20L | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP3055E,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHP3055L/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET TO-220 |
| PHP30NQ15T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP30NQ15T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。