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參數資料
| 型號： | PHP32N06L |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應管 |
| 文件頁數： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | PHP32N06L |
Philips Semiconductors
PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode field effect transistor
Product data
Rev. 01 — 06 November 2001
10 of 13
9397 750 09024
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 15. SOT404 (D
2
-PAK).
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP32N06LT | N-channel enhancement mode field effect transistor |
| PHP36N06E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20E | PowerMOS transistor |
| PHP3N20L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHP45N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP32N06LT | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP32N06LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP33N10 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP33N10/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP33NQ20T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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