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參數資料
| 型號： | PHU78NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | PLASTIC, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | PHU78NQ03LT |
9397 750 15086
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 June 2005
2 of 12
Philips Semiconductors
PHP78NQ03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2:
Type number
Ordering information
Package
Name
SC-46
Description
plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead
TO-220AB
Version
SOT78
PHP78NQ03LT
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage
V
DGR
drain-gate voltage
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
25
25
±
20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
Unit
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°
C
°
C
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current
I
SM
peak source (diode forward) current T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
Avalanche ruggedness
E
DS(AL)S
non-repetitive drain-source
avalanche energy
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
mb
= 25
°
C
-
-
75
228
A
A
unclamped inductive load; I
D
= 43 A;
t
p
= 0.25 ms; V
DD
≤
25 V; R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V; starting at T
j
= 25
°
C
-
185
mJ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHB82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHP8N20E | PowerMOS transistor |
| PHP95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHU78NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHU97NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHU97NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHUA8060-35A-33-000 | 功能描述:PIEZO, HAPTIC, ACTUATOR, PIEZOHA 制造商:tdk corporation 系列:PHU 零件狀態:在售 類型:- 功能:振動（壓電） 電機類型:- 電壓 - 額定:24VDC RPM:- 扭矩 - 額定值 (oz-in / mNm):- 功率 - 額定值:- 編碼器類型:- 大小/尺寸:矩形 - 3.150" x 2.362"（80.00mm x 60.00mm） 直徑 - 軸:- 長度 - 軸和軸承:- 安裝孔間距:- 端子類型:焊接墊 特性:- 齒輪減速比:- 扭矩 - 瞬時最大值?(oz-in / mNm):- 工作溫度:-10°C ~ 60°C 認可:- 標準包裝:200 |
| PHV 03K | 功能描述:觸覺開關 SQ SMT .12" BTN RoHS:否 制造商:C&K Components 工作力:2 N 執行器:Round 電流額定值:50 mA 電壓額定值 DC:32 V 電壓額定值 AC: 功率額定值:1 VA 接地端子:Yes 觸點形式:SPST-NO 開關功能: 安裝風格:SMD/SMT 安裝方向:Right 晶體管管座高度: 顏色: 照明:Not Illuminated 照明顏色: 封裝: |
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