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參數資料
| 型號： | PHW14N50E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 14 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | PHW14N50E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHW14N50E
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance
g
fs
= f(I
D
); parameter T
j
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 7 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
PHW14N50E
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VGS(TO) / V
4
3
2
1
0
max.
typ.
min.
PHW14N50E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
0
1
2
VGS / V
3
4
ID / A
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
SUB-THRESHOLD CONDUCTION
typ
2 %
98 %
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
2
1
0
a
PHW14N50E
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
December 1998
4
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHW20N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW50NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHW7N60 | PowerMOS transistor |
| PHX10N40E | Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin RoHS Compliant: No |
| PHX15N06E | Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Socket RoHS Compliant: No |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHW201610 | 功能描述:罩類、盒類及殼類產品 24X12X10 FRP TYP 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| PHW201612 | 功能描述:罩類、盒類及殼類產品 24X24X10 FRP TYP 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| PHW20166 | 功能描述:罩類、盒類及殼類產品 24X20X8 FRP TYPE 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| PHW20168 | 功能描述:罩類、盒類及殼類產品 30X20X8 FRP TYPE 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| PHW20N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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