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參數資料
| 型號： | PMV56XN |
| 英文描述： | uTrenchMOS (tm) extremely low level FET |
| 中文描述： | uTrenchMOS（TM）極低電平場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | PMV56XN |
PMV56XN
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Rev. 01 — 26 February 2003
Product data
M3D088
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PMV56XN in SOT23.
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Very fast switching
I
Low threshold voltage
I
Subminiature surface mount package.
3.
Applications
I
Battery management
I
High-speed switch
I
Low power DC-to-DC converter.
4.
Pinning information
Table 1:
Pin
Pinning - SOT23, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT23
2
source (s)
3
drain (d)
MSB003
Top view
1
2
3
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMWD19UN | Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMV56XN T/R | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| PMV56XN@215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin TO-236AB T/R |
| PMV56XN215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 3.76A SOT23 |
| PMV60EN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 |
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