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參數資料
| 型號： | Q62702-P430 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors |
| 中文描述： | メ-モ-ャ- Strahlungsdetektorenメ-モ-ャ-輻射探測器 |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | Q62702-P430 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P463 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter |
| Q62702-P47 | Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode |
| Q62702-P5014 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q62702-P5052 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P5053 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P43S4 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO TRANSISTOR NPN 850NM |
| Q62702P5000 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM REV GULLWNG SMD |
| Q62702P5013 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM PHOTODIODE - Tape and Reel |
| Q62702P5016 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM 950NM EMITTER - Tape and Reel |
| Q62702P5035 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO DIODE 900NM SMD |
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