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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-P430 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors |
| 中文描述： | メ-モ-ャ- Strahlungsdetektorenメ-モ-ャ-輻射探測器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P430 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P463 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter |
| Q62702-P47 | Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode |
| Q62702-P5014 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q62702-P5052 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P5053 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P43S4 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO TRANSISTOR NPN 850NM |
| Q62702P5000 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM REV GULLWNG SMD |
| Q62702P5013 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM PHOTODIODE - Tape and Reel |
| Q62702P5016 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM 950NM EMITTER - Tape and Reel |
| Q62702P5035 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO DIODE 900NM SMD |
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