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參數資料
| 型號： | Q62702-P430 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors |
| 中文描述： | メ-モ-ャ- Strahlungsdetektorenメ-モ-ャ-輻射探測器 |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P430 |
BGC420
High Frequency Products
6
Edition A13, 05/99
Layout Proposal
Part List for Vcc=3V, I
CC
￡
7mA
Component
Value
Comment
L1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
Rx
Substrate
BGC420
100nH
RFC
1nF
Compensation Capacitor for Low Frequency Stabilization
100pF
RFC
150pF
Blocking Capacitor
100nF
Blocking Capacitor
220pF
Coupling Capacitor
220pF
Coupling Capacitor
82
W
h=0.5mm
Current Adjust
Fr4,
e
r
=4.5
This proposal demonstrates how to use the BGC420 as a Self-Biased Transistor. As for a discrete Transistor
matching circuits have to be applied. A good starting point for various applications are the Application Notes
provided for the BFP420.
LQ
C7
9F
9
%*&
C2
C4
C5
Rx
L1
C3
C6
B
Figure 2. Layout Proposal
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P463 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter |
| Q62702-P47 | Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode |
| Q62702-P5014 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q62702-P5052 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P5053 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P43S4 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO TRANSISTOR NPN 850NM |
| Q62702P5000 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM REV GULLWNG SMD |
| Q62702P5013 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM PHOTODIODE - Tape and Reel |
| Q62702P5016 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM 950NM EMITTER - Tape and Reel |
| Q62702P5035 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO DIODE 900NM SMD |
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