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參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-H3509
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode
中文描述： 8 / 16千位二千〇四十八分之一千〇二十四× 8位串行CMOS EEPROM的，I2C同步2線巴士，頁(yè)面保護(hù)模式
文件頁(yè)數(shù)： 25/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-H3509
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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Q67100-3035 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-3036 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-3039 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-A6059 Primary Rate Access Clock Generator and Transceiver PRACT
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參數(shù)描述
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Q67100-H3512 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus
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Q67100-H3514 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode
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