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參數資料
| 型號： | Q67100-H3509 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| 中文描述： | 8 / 16千位二千〇四十八分之一千〇二十四× 8位串行CMOS EEPROM的，I2C同步2線巴士，頁面保護模式 |
| 文件頁數： | 26/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-H3509 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
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