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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1104 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機存儲器2k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 48/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1104 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
47
19.2 CAS Latency = 3
DAx4
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Write
DAx0
DAx1
DAx3
DAx2
RAx
RCD
t
RAx
CAx
DBx4
DBx0
Write
Command
Bank B
Bank B
Activate
Command
DAx6
DAx5
DAx7
Precharge
Command
Bank A
DBx2
DBx1
DBx3
CBx
RBx
RBx
WR
t
RP
t
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Write
DBx5
DBx6
DAy0
DBx7
Precharge
Command
Bank B
SPT03928
DAy1
DAy2
DAy3
WR
RAy
t
CAy
RAy
CAS
RAS
CKE
CLK
WE
CS
T2
High
CK3
t
T0
T1
T4
T3
T5
T6
T15
T7
T8
T9
T10
T11 T12
T13
T14
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T19
T17
T16
T18
T21
T20
T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H3508 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3509 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| Q67100-3033 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3035 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3036 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1105 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
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