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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1104 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機(jī)存儲器2k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 53/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1104 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
52
22. Precharge termination of a Burst
22.1 CAS Latency = 2
Command
Bank A
Activate
T14
BS
Write Data is masked.
of a Write Burst.
Precharge Termination
Addr.
DQ
DQM
AP
Command
Bank A
Activate
Hi Z
Bank A
Write
Command
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
DAx3
DAx2
Activate
RAy
RP
t
RAy
Ay0
Command
Bank A
Read
Bank A
Precharge
Command
Ay1 Ay2
CAy
RP
t
T3
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
CK2
t
T1
T2
T4
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
Precharge Termination
of a Read Burst.
SPT03933
Bank A
Command
Precharge
Command
Bank A
Read
Az0
Az1
RAz
CAz
RAz
Az2
RP
t
Burst Length = 8 or Full Page, CAS Latency = 2
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H3508 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3509 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| Q67100-3033 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3035 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3036 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1105 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
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