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參數資料
| 型號： | Q67100-Q1104 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態隨機存儲器2k刷新 |
| 文件頁數： | 50/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1104 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
49
20.2 CAS Latency = 3
T14
Bx
Full Page burst operation does not
terminate when the burst length is satisfied;
the burst counter increments and continues
bursting beginning with the starting address.
BS
Command
Bank A
AP
DQM
DQ
Addr.
Command
Bank A
Activate
Hi-Z
Read
RAx
RAx
CAx
page address back to zero
during this time interval.
The burst counter wraps
from the highest order
Activate
Command
Bank B
Ax
Ax 1
2
Ax+
Ax
~
~
-
RBx
RBx
~
~
~
~
~
~
Ax
Read
Command
Bank B
Ax
2
1
Ax
1
Bx
Bx 1
CBx
T3
CLK
CKE
CS
RAS
WE
CAS
T0
High
CK3
t
T1
T2
~
~
~
~
~
~
~
T4
T5
~
~
~
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
SPT03930
Bank B
Command
Activate
Bank B
Precharge
Command
Burst Stop
Command
+
+2
Bx
Bx
3
4
+
5
+
Bx
RBy
t
RRD
RBy
T20
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 3
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H3508 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3509 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| Q67100-3033 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3035 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3036 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1105 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
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