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參數資料
| 型號： | Q67100-Q1119 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 22/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1119 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1120 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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| Q67100-Q1136 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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