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參數資料
型號： Q67100-Q1119
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器
文件頁數： 24/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q1119
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Intrerval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1120 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1127 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1135 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67101-H5173-A701 DDC-PLUS-Deflection Controller
相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q1120 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1127 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1135 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1136 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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