- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361238 > Q67100-Q1119 (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q1119 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 33/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1119 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
32
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1120 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1128 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1135 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67101-H5173-A701 | DDC-PLUS-Deflection Controller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1128 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1135 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1136 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。