- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361234 > Q67100-Q1143 (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q1143 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 31/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1143 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
9.2 AC Parameters for a Read Timing
AC2
t
LZ
Hi-Z
DQ
Activate
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Bank A
Command
DQM
Addr.
AP
t
RCD
t
t
AS
RAx
RAx
t
AH
CAx
RRD
t
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank B
Ax1
Ax0
Bx0
Activate
Command
Bank A
SPT03911
Bx1
t
AC2
OH
t
HZ
t
t
RAS
RC
t
RBx
RBx
RBx
HZ
t
RAy
RAy
T5
t
t
BS
WE
CAS
RAS
t
CS
CKE
CKS
t
CH
t
t
CS
CH
CL
CK2
CLK
T0
T1
T2
T3
T4
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
t
CKH
Burst Length = 2, CAS Latency = 2
T6
T7
T8
T10
T9
T11
T13
T12
RP
t
Precharge
Command
Bank A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1144 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1147 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1148 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1151 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1152 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1144 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1147 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1151 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1152 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。