- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361234 > Q67100-Q1143 (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1143 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 43/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1143 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當(dāng)前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1144 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1147 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1148 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1151 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1152 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1144 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1147 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1151 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1152 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。