- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361232 > Q67100-Q2776 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) BAG 5X8 SHIELDED ZIP LOCK PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q2776 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | BAG 5X8 SHIELDED ZIP LOCK |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數： | 28/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2776 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
7. Burst Write and Read with Auto Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
DQ’s
CAS latency = 2
DQ’s
CAS latency = 3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
WR
t
RP
t
RP
NOP
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
*
*
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2,3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2781 | BAG 6X10 SHIELDED ZIP LOCK |
| Q67100-Q2800 | BAG 8X10 SHIELDED ZIP LOCK |
| Q67100-H5001 | NONVOLATILE MEMORY 2-Kbit EEPROM WITH I2C BUS |
| Q67100-H6222 | ICs for Communications |
| Q67100-H6035 | ICs for Communications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2800 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q3016 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。