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參數資料
| 型號： | RFD4N06LSM |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | RFD4N06LSM |
6-189
File Number
2837.1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
RFD4N06L, RFD4N06LSM
4A, 60V 0.600 Ohm, Logic Level,
N-Channel Power MOSFETs
The RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement
mode silicon gate power field effect transistors specifically
designed for use with logic level (5 volt) driving sources in
applications such as programmable controllers, automotive
switching, and solenoid drivers. This performance is
accomplished through a special gate oxide design which
provides full rated conduction at gate biases in the 3-5 volt
range, thereby facilitating true on-off power control from logic
circuit supply voltages.
Formerly developmental type TA09520.
Features
4A, 60V
r
DS(ON)
= 0.600
Design Optimized for 5 Volt Gate Drive
Can be Driven Directly From Q-MOS, N-MOS,
or TTL Circuits
SOA is Power Dissipation Limited
175
o
C Rated Junction Temperature
Logic Level Gate
High Input Impedance
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Symbol
Packaging
JEDEC TO-251AA
JEDEC TO-252AA
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
RFD4N06L
TO-251AA
RFD4N06L
RFD4N06LSM
TO-252AA
RFD4N06LSM
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
D
S
SOURCE
DRAIN
DRAIN
GATE
(FLANGE)
GATE
SOURCE
DRAIN
(FLANGE)
Data Sheet
June 1999
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD4N06L | 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD4N06LSM | 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD7N10LE | 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs |
| RFD7N10LESM | 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs |
| RFF60P06 | 25A⒂, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| RFD4N06LSM9A | 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD77101 | 功能描述:RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT 制造商:rf digital corporation 系列:Simblee? 包裝:托盤 零件狀態:有效 射頻系列/標準:藍牙 協議:藍牙 v4.0 調制:- 頻率:2.4GHz 數據速率:4Mbps 功率 - 輸出:4dBm 靈敏度:-96dBm 串行接口:I2C，SPI，UART 天線類型:集成式，芯片 存儲容量:128kB 閃存， 24kB RAM 電壓 - 電源:1.8 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:10mA ~ 13mA 電流 - 傳輸:8mA ~ 12mA 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:45-LGA 模塊 標準包裝:200 |
| RFD77201 | 功能描述:RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT 制造商:rf digital corporation 系列:Simblee? 包裝:散裝 零件狀態:有效 射頻系列/標準:藍牙 協議:藍牙 v4.0 調制:- 頻率:2.4GHz 數據速率:4Mbps 功率 - 輸出:4dBm 靈敏度:-96dBm 串行接口:I2C，SPI，UART 天線類型:集成式，芯片 存儲容量:128kB 閃存， 24kB RAM 電壓 - 電源:1.8 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:10mA ~ 13mA 電流 - 傳輸:8mA ~ 12mA 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:模塊 標準包裝:1 |
| RFD77203 | 功能描述:SIMBLEE DIP 29GPIO ADAPTER 制造商:rf digital corporation 系列:Simblee? 零件狀態:有效 配件類型:DIP 擴展板 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 |
| RFD77306 | 功能描述:IOT 3D TOF SENSOR SHIELD 制造商:rf digital corporation 系列:Simblee? 零件狀態:最後搶購 傳感器類型:光，3D 飛行時間（ToF） 感應范圍:- 接口:I2C 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:- 所含物品:板 使用的 IC/零件:RFD77402 標準包裝:1 |
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